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1. 產(chǎn)品概述

INN700DA140C 是一款尖端的 700V 增強(qiáng)型氮化鎵功率晶體管，采用業(yè)界領(lǐng)先的 GaN-on-Si 技術(shù)精心打造。該器件封裝在緊湊且散熱性能優(yōu)異的 DFN 5mm x 6mm 封裝中，旨在突破傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的性能瓶頸，為現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)帶來(lái)革命性的效率和功率密度提升。INN700DA140C 是實(shí)現(xiàn)更小、更快、更冷、更高效電源設(shè)計(jì)的理想選擇。

1.1 核心特性與優(yōu)勢(shì)

增強(qiáng)型晶體管 (Enhancement Mode) - 常閉型功率開(kāi)關(guān):

優(yōu)勢(shì): 提供固有的安全操作，柵極驅(qū)動(dòng)邏輯與傳統(tǒng) MOSFET 類似，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)導(dǎo)入和控制電路的實(shí)現(xiàn)。在 VGS=0V 時(shí)器件保持關(guān)斷狀態(tài)，防止意外導(dǎo)通。

極高的開(kāi)關(guān)頻率能力:

優(yōu)勢(shì): GaN 技術(shù)固有的低寄生電容特性，使得 INN700DA140C 能夠工作在遠(yuǎn)超硅器件的開(kāi)關(guān)頻率。這允許設(shè)計(jì)者使用體積更小、成本更低的電感和電容等無(wú)源元件，從而大幅縮小電源系統(tǒng)的整體尺寸、減輕重量并降低物料成本（BOM）。

零反向恢復(fù)電荷 (Qrr = 0):

優(yōu)勢(shì): GaN 晶體管無(wú)體二極管，因此沒(méi)有反向恢復(fù)損耗。這顯著降低了硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如 CCM 圖騰柱 PFC）中的開(kāi)關(guān)損耗，極大地提升了系統(tǒng)效率，減少了散熱需求。

低柵極電荷 (Qg) 與低輸出電荷 (Qoss):

優(yōu)勢(shì): 更低的 Qg 意味著驅(qū)動(dòng)損耗顯著降低，尤其在高頻工作時(shí)。更低的 Qoss 減少了開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間的損耗，進(jìn)一步提升效率，并支持更快的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)，改善動(dòng)態(tài)響應(yīng)。

符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用資格:

優(yōu)勢(shì): 通過(guò)了嚴(yán)格的 JEDEC 認(rèn)證測(cè)試，確保器件在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境和要求長(zhǎng)期可靠運(yùn)行的應(yīng)用中具有出色的穩(wěn)定性和耐用性。

集成 ESD 保護(hù):

優(yōu)勢(shì): 增強(qiáng)了器件在處理、制造和組裝過(guò)程中的抗靜電放電能力，提高了生產(chǎn)良率和系統(tǒng)的整體可靠性。

符合 RoHS、無(wú)鉛 (Pb-free)、REACH 等認(rèn)證:

優(yōu)勢(shì): 滿足全球主流環(huán)保法規(guī)要求，確保產(chǎn)品符合綠色環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，便于產(chǎn)品在全球市場(chǎng)的推廣和應(yīng)用。

1.2 重點(diǎn)應(yīng)用市場(chǎng)

INN700DA140C 的卓越性能使其成為眾多前沿電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想解決方案，特別是在追求高效率、高功率密度和快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的場(chǎng)合：

AC-DC 轉(zhuǎn)換器:

應(yīng)用場(chǎng)景: 高效電源適配器、服務(wù)器電源、通信設(shè)備電源、工業(yè)電源。

優(yōu)勢(shì): 實(shí)現(xiàn)更高效率（如滿足 80 Plus 鈦金標(biāo)準(zhǔn)），顯著減小適配器/電源的體積和重量。

DC-DC 轉(zhuǎn)換器:

應(yīng)用場(chǎng)景: 隔離和非隔離的 Buck、Boost、LLC 等拓?fù)洌糜跀?shù)據(jù)中心、通信基站、電動(dòng)汽車車載充電器 (OBC) 內(nèi)的輔助電源。

優(yōu)勢(shì): 提升轉(zhuǎn)換效率，提高功率密度，降低散熱壓力。

圖騰柱 PFC (Totem-Pole PFC):

應(yīng)用場(chǎng)景: 無(wú)橋 PFC 電路設(shè)計(jì)，特別是在需要 >99% 效率的高性能電源中。

優(yōu)勢(shì): GaN 的零 Qrr 特性是實(shí)現(xiàn)高效連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 PFC 的關(guān)鍵，可大幅簡(jiǎn)化電路、減少元件數(shù)量并超越傳統(tǒng) PFC 方案的效率極限。

快速充電 (Fast Charging):

應(yīng)用場(chǎng)景: USB-PD 充電器、筆記本電腦適配器、智能手機(jī)快充頭。

優(yōu)勢(shì): 支持更高的開(kāi)關(guān)頻率，使充電器設(shè)計(jì)得極為小巧便攜，同時(shí)保持高效率和低發(fā)熱。

高密度功率轉(zhuǎn)換:

應(yīng)用場(chǎng)景: 任何對(duì)尺寸和重量有嚴(yán)格要求的電源模塊、嵌入式系統(tǒng)電源、便攜式設(shè)備。

優(yōu)勢(shì): 利用高頻特性大幅縮小磁性元件和電容體積，實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度。

高頻率功率轉(zhuǎn)換:

應(yīng)用場(chǎng)景: 射頻電源、無(wú)線充電、高端音頻放大器等需要極高開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用。

優(yōu)勢(shì): 充分發(fā)揮 GaN 的高速開(kāi)關(guān)潛能，滿足特定應(yīng)用對(duì)頻率和性能的極端要求。

INN700DA140C 不僅僅是一款功率晶體管，它是通往下一代電源解決方案的關(guān)鍵技術(shù)。憑借其在效率、頻率、功率密度方面的顯著優(yōu)勢(shì)，結(jié)合工業(yè)級(jí)的可靠性和環(huán)保合規(guī)性，它將助力工程師開(kāi)發(fā)出更具競(jìng)爭(zhēng)力、性能更卓越的電力電子產(chǎn)品。

INN700DA140C_Datasheet_Rev 1.0.pdf