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INN900TK350B 是一款高性能的900V額定電壓增強型氮化鎵（GaN）功率晶體管，采用行業(yè)廣泛應用的TO-252（DPAK）表面貼裝封裝，便于集成和散熱。作為一款增強型器件，其核心特性是常關（normally-off）電源開關，這意味著在無柵極驅動時器件保持關斷狀態(tài)，簡化了驅動電路設計并提升了系統(tǒng)的固有安全性。

該GaN晶體管的關鍵優(yōu)勢在于其卓越的動態(tài)性能和高電壓能力。它能夠支持超高的開關頻率運行，遠超傳統(tǒng)硅基MOSFET，使得設計者能夠采用更小的電感、電容等無源元件，從而顯著提升電源的功率密度和緊湊性。得益于GaN材料的物理特性，INN900TK350B實現(xiàn)了零反向恢復損耗（無反向恢復電荷），極大地降低了開關過程中的能量損失，尤其在硬開關拓撲中效率優(yōu)勢更為顯著。同時，其低柵極電荷（Qg）和低輸出電荷（Qoss）特性進一步減少了驅動功耗和開關時間，有助于實現(xiàn)更快、更高效的能量轉換。

該器件符合JEDEC工業(yè)應用資格標準，并內置ESD保護，確保了在各種工業(yè)環(huán)境下的可靠性和耐用性。同時，它完全滿足RoHS、無鉛（Pb-free）和REACH等環(huán)保法規(guī)要求。

基于其高電壓、高效率和高頻特性，INN900TK350B特別適用于要求嚴苛的應用市場，是構建高效、高功率密度快速充電器中AHB、LLC、ACF以及QR反激式DC-DC轉換器的理想選擇。此外，其高達900V的耐壓能力使其在優(yōu)化電源設計以應對電網(wǎng)電壓波動或存在高壓瞬變風險的應用場景中表現(xiàn)出色。

INN900TK350B_Datasheet_Rev. 1.1.pdf