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三星電子落后于臺積電的三大原因如下：

在半導體微縮化方面，臺積電在全球處于領先地位。臺積電已經(jīng)成功量產(chǎn)了7納米和5納米芯片，并計劃在未來實現(xiàn)2納米芯片的量產(chǎn)。相比之下，三星電子的EUV技術(shù)不如臺積電成熟，良率也不及臺積電，導致三星電子在EUV批量生產(chǎn)方面遇到困難。

ASML是全球唯一一家能夠提供尖端光刻設備EUV光刻機的廠家。然而，ASML無法按照計劃為三星提供足夠的EUV設備。這導致三星電子無法充分利用EUV技術(shù)進行半導體微縮化生產(chǎn)，進一步拉大了與臺積電的差距。

要熟練使用新設備，需要花費相當長的時間。臺積電在使用EUV設備進行量產(chǎn)之前做了大量準備工作，投入了大量晶圓并處理了Bug問題。相比之下，三星電子在使用EUV設備方面的準備工作不足，導致其使用EUV設備的熟練程度不及臺積電。

技術(shù)差距、設備供給不足以及使用熟練程度不及是導致三星電子落后于臺積電的三大原因。