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雙向氮化鎵 (GaN) 單芯片方案革新電源管理
作者：admin 發(fā)布時間：2025-06-04 14:09:56 點擊量：
在當今電子設備日益小型化、高性能化的趨勢下，如何提升電源管理效率、降低系統(tǒng)復雜度和成本，成為了行業(yè)關注的焦點。英諾賽科推出的雙向氮化鎵 (VGaN) 產品，憑借其獨特的單芯片雙向導通與阻斷功能，顛覆了傳統(tǒng)的MOSFET解決方案，為電源管理領域帶來了革命性的突破。
單芯片替代雙MOS 大幅精簡設計
傳統(tǒng)方案中，實現(xiàn)雙向導通與阻斷功能往往需要兩顆背靠背的MOSFET。而英諾賽科的雙向GaN器件，僅憑單顆即可實現(xiàn)同樣的功能，這極大地簡化了電路設計，減少了元器件的使用數(shù)量。以電池管理系統(tǒng) (BMS) 為例，采用雙向GaN后，原本復雜的雙MOSFET電路可簡化為單芯片方案，不僅降低了物料采購成本，還減少了電路板的占用面積，直接降低了PCB板的成本。同時，簡化的電路設計還減少了測試和調試的工作量，縮短了產品研發(fā)周期，從整體上降低了系統(tǒng)的開發(fā)和生產成本。
寬禁帶優(yōu)勢 實現(xiàn)更低損耗與更高效率
氮化鎵 (GaN) 材料本身具有寬禁帶特性，這使得英諾賽科雙向GaN器件擁有比傳統(tǒng)硅基器件更出色的電子遷移率。在導通狀態(tài)下，電流傳輸速度更快，導通電阻更低，有效降低了導通損耗。這意味著更少的能量轉化為熱量，從而提升了電源管理的整體效率。此外，更快的開關速度也有助于降低開關損耗，進一步提升效率。
獨特設計 保障系統(tǒng)穩(wěn)定可靠
雙向GaN器件具備良好的散熱性能，在工作過程中產生的熱量更少。這主要得益于其材料特性以及英諾賽科獨特的芯片設計和制造工藝。較低的熱阻使得熱量能夠快速散發(fā)出去，避免了因芯片過熱導致的性能下降和可靠性問題。在高溫環(huán)境下，雙向GaN器件的性能衰減更小，能夠保證系統(tǒng)的穩(wěn)定可靠運行。
助力多領域電源管理升級
英諾賽科雙向GaN器件憑借其獨特的優(yōu)勢，在眾多領域都展現(xiàn)出巨大的應用潛力。例如，在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中，可用于電池充放電控制，提高充放電效率，延長電池壽命。在電動汽車充電樁中，可用于功率轉換，實現(xiàn)高效的能量傳輸。在服務器電源中，可用于提高電源效率，降低能耗。在工業(yè)電源中，可用于提高電源的可靠性和穩(wěn)定性。
引領電源管理技術發(fā)展
英諾賽科雙向GaN器件的推出，是電源管理領域的一項重大創(chuàng)新。它不僅簡化了電路設計，降低了成本，還提高了電源效率和可靠性。隨著氮化鎵技術的不斷發(fā)展和成熟，雙向GaN器件將在更多領域得到應用，為電子設備的性能提升和能效優(yōu)化做出更大的貢獻。英諾賽科也將繼續(xù)深耕氮化鎵技術，不斷推出更具創(chuàng)新性的產品，引領電源管理技術的發(fā)展。
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